MT41K256M16HA-125 M AIT:E 是美光科技推出的一款4Gb容量、采用DDR3L标准的并行接口SDRAM。该器件采用256M x 16的组织结构，提供16位宽的数据总线，其核心优势在于低电压操作（1.283V-1.45V）与高达800MHz（等效1600MT/s）的数据传输速率，在性能与功耗之间实现了出色平衡。
该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。其13.75ns的访问时间与符合JEDEC标准的接口，使其能够为各类嵌入式系统、网络通信设备及需要高效内存子系统的应用提供稳定、高速的数据缓冲与存储解决方案。
- 型号:MT41K256M16HA-125 M AIT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
- 想获取MT41K256M16HA-125 M AIT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
