NP8P128AE3B1760E

NP8P128AE3B1760E是美光科技推出的一款128Mb相变存储器（PCM），采用16M x 8的位宽配置。该器件属于非易失性存储器，利用PCM技术实现了高速读写与高耐用性的结合，其访问时间和写周期时间均达到135ns，性能显著优于传统闪存。

芯片提供并联与SPI两种接口选项，增强了系统集成的灵活性。其工作电压为2.7V至3.6V，并支持-30°C至85°C的工业级工作温度范围，采用64-TBGA表面贴装封装。这些特性使其适用于对数据写入速度、可靠性和环境适应性有较高要求的嵌入式存储应用。

• 制造商产品型号：NP8P128AE3B1760E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PCM 128MBIT PAR 64EASYBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：管件
• 系列：Omneo
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：PCM（PRAM）
• 技术：PCM（PRAM）
• 存储容量：128Mb（16M x 8）
• 存储器接口：并联，SPI
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：135ns
• 访问时间：135ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
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