NAND128W3A0BN6F TR是美光科技生产的一款128Mb容量并行接口NAND闪存芯片，采用16M x 8位的组织结构。该器件提供50ns的页写入时间和访问时间，并在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作，确保与标准3.3V系统的兼容性。
其设计满足了工业级可靠性要求，支持-40°C至85°C的扩展工作温度范围，并采用48-TSOP表面贴装封装，适合自动化制造。这款非易失性存储器适用于需要稳定、中等性能数据存储解决方案的各类嵌入式电子系统。
- 型号:NAND128W3A0BN6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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