M29W128GL70ZA6E是美光科技生产的一款128Mbit并行NOR闪存芯片，采用64-TBGA封装。该器件提供16M x 8位或8M x 16位的灵活组织架构，支持快速的随机访问和可靠的代码执行（XiP）功能。
其核心性能参数包括70ns的快速访问时间和70ns的典型字编程时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。这些特性使其成为对启动速度、数据可靠性和环境适应性有严格要求的嵌入式系统的理想存储解决方案。
- 型号:M29W128GL70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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