MT44K16M36RB-125E:A

MT44K16M36RB-125E:A 是美光科技生产的一款576Mb并行DRAM芯片，采用168-TBGA封装和表面贴装技术，提供16M x 36的存储组织架构。该器件支持800MHz的高时钟频率和10ns的访问时间，能够实现高速数据读写操作，适用于对带宽要求严格的应用。

其工作电压范围为1.28V至1.42V，在宽温工作范围（0°C至95°C）内保持稳定性能，兼顾了能效与可靠性。作为一款易失性存储器，它通过并联接口优化数据吞吐，适合集成到需要快速临时存储的系统中，如网络设备和嵌入式平台。

• 型号:MT44K16M36RB-125E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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