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MICRON
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D的图片

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D是美光科技生产的一款32Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用易失性存储技术,组织架构为512M x 64,为核心处理器提供了大容量且位宽充足的高速数据交换通道。

其核心性能指标包括2133MHz的时钟频率,结合LPDDR4的双倍数据速率特性,可实现高效的数据传输。工作电压为1.1V,体现了其面向移动平台的低功耗设计理念。同时,该芯片支持-30°C至105°C的宽温度范围,确保了在各类严苛环境下的稳定运行能力,适用于要求高可靠性的嵌入式与移动应用。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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