MT46V128M4FN-6:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的组织结构。该器件基于DDR技术，时钟频率为167MHz，可实现高达333MT/s的数据传输速率，其关键时序参数包括700ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了高速数据读写的性能。
芯片采用2.3V至2.7V的低电压供电，工作温度范围为0°C至70°C，符合商业级应用标准。其接口为并联形式，采用60-TFBGA表面贴装封装，适用于需要紧凑布局的设计。该产品主要面向对数据吞吐有较高要求的嵌入式存储应用场景。
- 型号:MT46V128M4FN-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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