MT49H32M18FM-25:B TR是一款由美光科技制造的576Mb容量并行接口DRAM芯片。该器件采用32M x 18的组织结构，提供高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，旨在满足对高数据带宽和低延迟有严格要求的应用。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗运行，并采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的PCB设计。该芯片适用于通信基础设施、高端图像处理及工业计算等需要高性能缓冲存储的领域。
- 型号:MT49H32M18FM-25:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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