MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR是美光科技生产的一款4Tb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心组织架构为512G x 8位，工作电压支持2.5V至3.6V，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。

该芯片的主要技术优势在于其高存储密度与高数据带宽。高达333MHz的时钟频率使其并行接口能够实现极高的数据传输速率，满足对读写性能有严苛要求的应用。其卷带（TR）包装形式便于规模化生产组装。这款大容量、高性能的闪存解决方案旨在为数据中心存储、高端计算和媒体处理等需要处理海量数据的系统提供可靠的存储支持。

• 型号:MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Tb
• 存储器组织:512G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
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