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MICRON
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR的图片

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
原厂封装:产品封装:200-WFBGA
优势价格,MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR是美光科技生产的一款16Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 32的存储单元组织架构,在1.1V的工作电压下,其时钟频率可达1600MHz,实现高效的数据吞吐性能。

其核心优势在于为移动和嵌入式应用提供了优化的高带宽与低功耗组合。紧凑的200-WFBGA封装和-30°C至85°C的宽工作温度范围,使其能够适应空间受限及环境多变的设计要求,适用于追求高性能与长续航的各类电子设备。

  • 制造商产品型号:MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
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