MT49H16M18CSJ-25 IT:B

MT49H16M18CSJ-25 IT:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用16M x 18的存储结构。该器件核心优势在于其400MHz的高时钟频率与20ns的快速访问时间，能够为系统提供高速的数据吞吐能力，满足实时性要求严格的应用需求。

芯片工作在1.7V至1.9V的低电压范围，有助于降低系统整体功耗，并支持-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。其采用144-TBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB设计。这款并行接口DRAM主要面向需要高带宽数据缓冲和处理的嵌入式系统、通信设备及工业控制领域。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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