MT44K64M18RB-093F:A

MT44K64M18RB-093F:A是美光科技基于RLDRAM 3技术打造的一款1.125Gb容量高性能易失性存储器。该芯片采用64Mb x 18的并联接口架构，旨在为对延迟极度敏感的应用提供解决方案。

其核心优势在于高达1067MHz的时钟频率和仅7.5ns的访问时间，这确保了极高的数据吞吐率和极低的随机访问延迟。工作电压范围为1.28V至1.42V，采用168-TBGA表面贴装封装，可在0°C至95°C的结温范围内稳定运行，满足严苛环境下的可靠性要求。

该器件主要定位于需要超高带宽和快速响应的领域，如网络通信设备的核心数据缓冲、高端图形处理单元的帧缓存以及各类实时信号处理系统，是构建高性能计算和数据处理平台的关键存储组件。

• 型号:MT44K64M18RB-093F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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