NAND01GW3B2CN6E

NAND01GW3B2CN6E是美光科技推出的一款1Gb（128M x 8位）并行接口NAND闪存存储器，采用48-TSOP表面贴装封装。该器件基于成熟的NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其核心优势在于25ns的快速页写入和随机读取访问时间，以及宽泛的2.7V至3.6V工作电压范围，确保了高效的数据吞吐率和良好的电源兼容性。

该芯片设计用于满足工业级应用环境要求，支持-40°C至85°C的扩展工作温度。其标准的并行接口简化了与主控器的连接设计，1Gb的容量适合存储固件、系统参数或用户数据。尽管产品状态已标注为停产，但其经市场验证的可靠性和确定的性能参数，使其在既有系统维护或特定延续性产品设计中仍具备明确的实用价值。

• 型号:NAND01GW3B2CN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
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