MT47H512M8WTR-25E:C 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 8位的并行架构。该器件基于DDR2技术，时钟频率为400MHz，可实现高达800Mbps/pin的数据传输速率，其快速的400ps访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
芯片采用1.8V供电，工作温度范围为0°C至85°C，并以63-TFBGA表面贴装封装形式提供，适合高密度PCB设计。其大存储容量和高速并行接口特性，使其成为满足嵌入式系统、网络设备和工业控制应用中对内存性能与可靠性要求的经典解决方案。
- 型号:MT47H512M8WTR-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
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