MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8位的内部架构。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后仍可保持，核心卖点在于其工业级宽温工作范围（-40°C至85°C）以及2.7V~3.6V的宽电压供电能力，确保了在苛刻环境下的稳定性和适应性。
芯片采用表面贴装型的48-TFSOP封装，外形紧凑，支持卷带（TR）包装，便于自动化生产。其2Gb的大存储容量能够满足多数嵌入式系统对程序代码、配置参数及用户数据存储的需求。这些特性使其成为工业控制、汽车电子、网络设备及高端消费电子产品中构建可靠数据存储方案的理想选择。
- 型号:MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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