MT47H512M4THN-25E:M TR是美光科技推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4的并行架构。该器件在400MHz时钟频率下运行，实现800MT/s的数据传输速率，其400ps的快速访问时间和1.7V~1.9V的低工作电压范围，在提供高带宽的同时兼顾了系统能效。
芯片集成片内终结（ODT）和可编程突发长度等特性，有助于优化信号完整性并提升系统配置灵活性。采用63-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于对内存性能和可靠性有较高要求的网络、存储及工业控制等应用场景。
- 型号:MT47H512M4THN-25E:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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