MT44K64M18RB-093E:A

MT44K64M18RB-093E:A是一款采用RLDRAM 3技术的1.125Gb并联接口DRAM，由美光科技制造。其核心规格为64Mb x 18位组织，在1067MHz的时钟频率下运行，访问时间低至8ns，专为要求高带宽和确定低延迟的应用而设计。

该器件工作电压范围为1.28V至1.42V，采用168-TBGA封装，支持0°C至95°C的扩展工作温度。这些参数共同构成了其核心卖点：在严苛环境下提供卓越的随机访问性能和持续的高数据吞吐率，适用于网络、电信及高性能计算等领域的缓存和缓冲解决方案。

• 型号:MT44K64M18RB-093E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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