MT41K256M8DA-125 AUT:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 8位的并行架构。该器件在800MHz时钟频率下运行，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，为系统提供了高速、低延迟的内存解决方案。
其核心卖点在于优异的能效与可靠性。工作电压范围1.283V至1.45V，符合DDR3L低功耗标准，有效降低系统整体功耗。同时，它支持-40°C至125°C的宽工作结温范围，并采用78-TFBGA表面贴装封装，使其能够满足工业控制、汽车电子及网络设备等对环境适应性和长期稳定性要求严苛的应用需求。
- 型号:MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
- 想获取MT41K256M8DA-125 AUT:K TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
