MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR

MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片，采用272-VFBGA封装。其核心卖点在于将高密度存储与高性能访问相结合，128G x 8的组织结构和333MHz的时钟频率为其带来了出色的数据传输带宽，适合处理连续的大数据流。

该器件工作电压为2.5V~3.6V，工作温度范围0°C~70°C，具备非易失特性，确保了数据的持久保存。其表面贴装型设计和卷带包装符合现代电子制造流程，便于集成到需要海量、高速存储的系统中，如企业存储、高端计算和网络设备等应用场景。

• 制造商产品型号：MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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