MT46V64M8FN-6 IT:F TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率达167MHz，并具备700ps的快速访问时间与15ns的写周期时间，能够提供高效的数据吞吐性能。
其工作电压范围为2.3V至2.7V，工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级标准，确保了在恶劣环境下的稳定运行。该芯片采用60-TFBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适用于对空间和可靠性有较高要求的嵌入式及工业应用设计。
- 型号:MT46V64M8FN-6 IT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
- 想获取MT46V64M8FN-6 IT:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
