MT47H512M4THN-25E:M 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM存储器。它采用512M x 4的并行架构,在400MHz的时钟频率下可实现高达800MT/s的数据传输速率,提供快速的数据访问和处理能力。
该器件工作电压为1.8V典型值,支持0°C至85°C的商业温度范围,并采用63-TFBGA表面贴装封装,兼顾了性能、功耗与空间布局的要求。其设计适用于对内存带宽和延迟有明确需求的各类嵌入式及通信系统。
- 制造商产品型号:MT47H512M4THN-25E:M
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:托盘
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb(512M x 4)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:400ps
- 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:63-TFBGA
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