MT29F128G08CBCABH6-6:A TR是美光科技生产的一款128Gb（16G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于MLC NAND技术，提供非易失性数据存储解决方案，其核心特性包括支持高达166MHz的时钟频率以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，旨在满足对数据带宽和功耗有特定要求的应用。
芯片采用152-VBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，便于自动化生产。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）使其适用于广泛的嵌入式系统和消费电子领域。该产品为需要大容量、并行访问闪存存储的设计提供了一个经过验证的组件选择。
- 型号:MT29F128G08CBCABH6-6:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
- 想获取MT29F128G08CBCABH6-6:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
