MT40A2G4WE-075E:B是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用并联接口和78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR4技术，提供高达1.33GHz的时钟频率（数据速率2666 MT/s），能够实现高带宽的数据传输，满足现代计算系统对内存速度的严格要求。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提供高性能的同时优化了功耗表现。该芯片组织架构为2G x 4，适用于需要中等位宽、大容量缓冲内存的应用。其设计支持在0°C至95°C（TC）的温度范围内稳定工作，确保了在多种环境下的可靠性。
- 型号:MT40A2G4WE-075E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
- 想获取MT40A2G4WE-075E:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
