MT40A512M16JY-083E:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16的存储结构。该器件基于DDR4技术标准，其核心优势在于提供高达1.2GHz（2400 MT/s）的数据传输速率，能够显著提升数据密集型应用的吞吐性能。
该芯片工作电压为1.2V典型值，具备优异的能效表现，有助于降低系统功耗。其设计支持0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，并采用96-TFBGA表面贴装封装，确保了在严苛环境下的可靠性和紧凑的电路板布局适应性。这些特性使其适用于对性能、功耗和可靠性有综合要求的高端计算与通信平台。
- 型号:MT40A512M16JY-083E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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