MT49H8M36BM-TI:B TR是美光科技推出的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用8M x 36位的组织结构。该器件工作在1.7V至1.9V电压范围内，提供0°C至95°C的工业级工作温度选项，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
其核心优势在于36位宽的并行数据接口，这不仅提供了较高的数据吞吐带宽，也使其天然适用于需要内置错误校验位（如ECC）的系统设计，增强了数据可靠性。芯片采用144-TFBGA紧凑型封装，以卷带形式供货，便于自动化表面贴装生产。
- 型号:MT49H8M36BM-TI:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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