MT45W8MW16BGX-708 WT TR是一款由美光科技生产的128Mb并行接口PSRAM芯片。该器件采用8M x 16位的架构，提供70ns的快速访问时间，并支持高达80MHz的工作频率，其1.8V左右的核心电压设计突出了低功耗特性。
其技术核心在于伪SRAM（PSRAM）设计，内部集成DRAM存储单元与自刷新逻辑，对外提供类似SRAM的简易接口，无需外部刷新控制，从而在实现高存储密度的同时简化了系统设计。器件采用54-VFBGA封装，工作温度范围覆盖-30°C至85°C，适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式应用。
- 型号:MT45W8MW16BGX-708 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:80 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（8x10）
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