MT29E3T08EUHBBM4-3:B是美光科技生产的一款3Tb大容量NAND闪存芯片，采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，旨在提供高速、高带宽的数据存储解决方案。其非易失特性确保数据持久保存，工作电压范围为2.5V至3.6V，并可在0°C至70°C的商业温度范围内稳定运行。
该芯片的核心优势在于其高密度存储架构与并行接口的结合，能够满足需要处理海量数据且对读写速度有严格要求的应用场景。它适用于企业存储、数据中心、高端计算及专业视频处理等领域，为系统提供可靠的大容量存储支持。
- 型号:MT29E3T08EUHBBM4-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:3Tb
- 存储器组织:384G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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