MT42L16M32D1HE-18 IT:E是美光科技推出的一款512Mb容量、采用移动LPDDR2技术的SDRAM。该器件以16M x 32位的架构组织,通过并联接口提供高效的数据通路。
其核心优势在于平衡了性能与功耗。器件在533MHz的时钟频率下运行,写周期时间低至15ns,确保了快速的数据处理能力。同时,1.14V~1.3V的低工作电压范围显著降低了动态功耗,配合-40°C至85°C的宽温工作能力,使其成为对能效和可靠性有严苛要求的移动及嵌入式应用的理想选择。
该芯片采用紧凑的134-VFBGA表面贴装封装,适合高密度PCB布局,主要面向智能手机、平板电脑、工业控制及汽车电子等需要高性能、小尺寸内存解决方案的领域。
- 型号:MT42L16M32D1HE-18 IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-VFBGA(10x11.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:16M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-VFBGA
- 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
- 想获取MT42L16M32D1HE-18 IT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料