MT45W512KW16BEGB-708 WT TR是一款由美光科技制造的8Mb容量PSRAM（伪静态随机存取存储器）。该器件采用512K x 16位的组织架构，通过并联接口进行高速数据访问，其核心优势在于兼具DRAM的高密度与类似SRAM的简易接口，无需外部刷新电路。
其主要技术参数包括70ns的快速访问/写周期时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压范围，有助于实现低功耗设计。该芯片采用54-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-30°C至85°C，适用于对空间、功耗和实时性能有要求的各类嵌入式系统。
- 型号:MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
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