MT49H16M18FM-33 TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM存储器。该器件采用16M x 18的组织结构，通过并联接口运行，核心时钟频率可达300MHz，并实现了20ns的访问时间，为系统提供了快速的数据读写能力。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC）。这些参数共同定义了其核心卖点：在紧凑的封装内提供了中等容量下的高带宽、低延迟内存解决方案，适用于需要高效数据缓冲的嵌入式设计。
- 型号:MT49H16M18FM-33 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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