MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于高达333MHz的时钟频率，结合Toggle模式，能够实现高速数据吞吐，满足对带宽要求严格的应用需求。

该器件工作电压为2.5V至3.6V，提供64G x 8位的存储组织方式，属于非易失性存储器，确保数据在断电后不丢失。其0°C至70°C的商业工作温度范围和表面贴装型设计，使其能够稳定集成于各类需要大容量、高性能存储的电子系统中。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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