MT41K512M8RH-107:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。其核心卖点在于实现了高性能与低功耗的结合，在1.283V至1.45V的低电压下工作，时钟频率可达933MHz（数据速率1866 MT/s），能显著降低系统能耗。
该器件组织架构为512M x 8位，提供并联存储器接口，访问时间为20ns，确保了高效的数据吞吐能力。其表面贴装形式与0°C至95°C的工作温度范围，使其能适应多种嵌入式与网络通信应用环境，是一款针对能效敏感型设计优化的成熟存储解决方案。
- 型号:MT41K512M8RH-107:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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