JR28F064M29EWTB TR是美光科技推出的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TSOP封装。它提供8M x 8位或4M x 16位两种可配置的组织模式，具备70ns的快速访问时间和写周期时间，支持处理器高效执行代码。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，确保了在苛刻环境下的数据存储可靠性。其标准的并行接口便于与主流微控制器直接连接，主要适用于工业控制、通信设备等需要非易失性存储关键固件和实现快速启动的嵌入式系统。
- 型号:JR28F064M29EWTB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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