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MICRON
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR的图片

MT45V256KW16PEGA-55 WT TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
原厂封装:产品封装:48-VFBGA
优势价格,MT45V256KW16PEGA-55 WT TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45V256KW16PEGA-55 WT TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45V256KW16PEGA-55 WT TR是美光科技推出的一款4Mb容量PSRAM芯片,采用256K x 16位的并行架构。该器件集成了DRAM存储单元与SRAM式接口控制器,提供55ns的快速访问与写入时间,工作电压范围为2.7V至3.6V,无需外部刷新电路,显著简化了系统设计。

其核心优势在于以接近SRAM的易用性,实现了DRAM级别的存储密度与成本效益。芯片采用48-VFBGA小型化封装,支持表面贴装,工作温度范围为-30°C至85°C,适用于对空间、功耗和响应速度有要求的工业级嵌入式应用。该产品属于易失性存储器,目前已停产,选型时需注意后续供应安排。

  • 制造商产品型号:MT45V256KW16PEGA-55 WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:4Mb(256K x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:55ns
  • 访问时间:55ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-VFBGA
  • 想获取MT45V256KW16PEGA-55 WT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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