MT41J512M8RH-093:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR3技术，时钟频率1066MHz，可实现2133MT/s的数据传输率，其20ns的访问时间提供了快速的数据响应能力。
芯片工作电压为1.5V±5%（1.425V~1.575V），在0°C至95°C的结温范围内保证稳定运行。其512M x 8的存储结构通过并联接口进行数据交换，适用于对内存带宽和可靠性有较高要求的嵌入式系统。请注意，该产品目前已停产。
- 型号:MT41J512M8RH-093:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.066 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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