MT41K256M8HX-187E:D是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 8的存储组织架构。该器件基于成熟的DDR3L技术，核心优势在于其1.283V至1.45V的低工作电压范围，相较于标准DDR3产品能显著降低系统功耗。
它支持高达533MHz的时钟频率（数据速率1066MT/s），并提供13.125ns的访问时间，确保了高效的数据吞吐能力与响应速度。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于各类嵌入式及网络应用场景，为系统主内存需求提供了一个高性价比的解决方案。
- 型号:MT41K256M8HX-187E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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