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MICRON
MT9VDDT6472HG-40BF2的图片

MT9VDDT6472HG-40BF2

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:200-SODIMM
优势价格,MT9VDDT6472HG-40BF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT9VDDT6472HG-40BF2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT9VDDT6472HG-40BF2是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200-SODIMM封装。该模块的核心卖点在于其平衡的性能与规格,数据传输速率达到400MT/s,能够有效提升系统在数据交换和处理任务时的响应速度与吞吐能力。

其SODIMM外形因子决定了它主要面向空间紧凑的嵌入式设备与移动计算平台,为这些设备提供了可靠的高密度内存解决方案。该模块遵循行业通用规范,兼容性良好,便于系统集成与设计,适用于对内存性能和物理尺寸均有明确要求的多种工业与商业应用场景。

  • Micron美光半导体完整型号: MT9VDDT6472HG-40BF2
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 400MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
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