MT44K16M36RB-093E:B TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款有源、易失性存储器芯片，属于其高性能DRAM产品线。该器件采用并联接口，提供576Mb（16M x 36）的存储容量，旨在满足高带宽数据访问的应用需求。
其核心性能参数包括高达1067MHz的时钟频率和8ns的访问时间，确保了高速数据读写能力。该芯片工作电压为1.28V~1.42V，在0°C至95°C（TC）的温度范围内保持稳定运行，并采用适用于表面贴装的168-TBGA封装。这些特性使其成为网络、通信和高端计算设备中理想的高速数据缓冲解决方案。
- 型号:MT44K16M36RB-093E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-BGA（13.5x13.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.066 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:8 ns
- 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-TBGA
- 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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