MT41K512M8RH-125 AIT:E是美光科技推出的一款4Gb容量、基于DDR3L技术的并行SDRAM。该器件采用512M x 8的组织结构，在800MHz的时钟频率下可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存解决方案。
其核心优势在于1.283V至1.45V的低工作电压，相比标准DDR3显著降低了动态和静态功耗，符合现代电子设备对能效的严格要求。同时，器件支持-40°C至95°C的宽温度范围，并集成了一系列信号完整性与时序校准功能，确保了在工业及汽车等恶劣环境下的高可靠性和稳定运行。
- 型号:MT41K512M8RH-125 AIT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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