JS28F00AM29EWHB TR是美光科技推出的一款1Gb容量并行NOR闪存芯片。它采用非易失存储技术，提供128M x 8位或64M x 16位的可配置组织方式，并具备110ns的快速访问时间，适用于需要高速代码读取的嵌入式系统。
该器件工作在2.7V至3.6V电压范围内，支持工业级温度范围（-40°C至85°C），确保了在恶劣环境下的稳定性和耐用性。其56-TSOP表面贴装封装符合紧凑型电路板设计需求，使其成为工业控制、通信设备和汽车电子等领域中固件存储与执行的可靠解决方案。
- 型号:JS28F00AM29EWHB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8，64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:110ns
- 访问时间:110 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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