MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR是美光科技推出的一款2Gb（256M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，供电电压范围为2.7V至3.6V，确保了在多种电源环境下的兼容性与稳定性。
其核心卖点在于工业级宽温工作范围（-40°C至85°C）与63-VFBGA紧凑型封装的结合，使其能够胜任严苛环境下的表面贴装应用。该芯片为需要中等容量、高可靠性数据存储的嵌入式系统提供了经过市场验证的解决方案。
- 型号:MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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