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MICRON
MT44K32M36RB-083E:A的图片

MT44K32M36RB-083E:A

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
原厂封装:产品封装:168-TBGA
优势价格,MT44K32M36RB-083E:A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT44K32M36RB-083E:A的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT44K32M36RB-083E:A是美光科技推出的一款1.125Gb(32M x 36)RLDRAM 3存储器。该器件采用并联接口,支持高达1200MHz的时钟频率,在DDR模式下可实现极高的数据传输带宽,同时其架构经过专门优化,将随机访问时间显著降低至7.5ns,旨在满足对延迟极其敏感的应用需求。

其工作电压为1.28V至1.42V,采用168-TBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC)。该芯片的核心价值在于在高密度存储与接近SRAM的访问速度之间取得了平衡,为需要快速数据交换和大量缓冲的应用提供了高效的解决方案。

  • 制造商产品型号:MT44K32M36RB-083E:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:RLDRAM 3
  • 存储容量:1.125Gb(32Mb x 36)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:7.5ns
  • 电压-供电:1.28V ~ 1.42V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-TBGA
  • 想获取MT44K32M36RB-083E:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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