MT41K512M8DA-107:P是美光科技推出的一款4Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以512M x 8的组织形式，提供了高效的数据存储结构。
其核心卖点在于实现了高性能与低功耗的出色结合。器件支持高达933MHz的时钟频率（等效1866 MT/s数据速率）和20ns的访问时间，确保了高速数据吞吐能力。同时，其1.283V~1.45V的低工作电压范围，相比标准DDR3显著降低了功耗，符合现代电子系统对能效的严苛要求。该芯片采用78-TFBGA封装，适用于表面贴装工艺，工作温度范围为0°C至95°C，适合要求严苛的嵌入式与工业应用环境。
- 型号:MT41K512M8DA-107:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
- 想获取MT41K512M8DA-107:P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
