MT44K16M36RB-125E:A TR

MT44K16M36RB-125E:A TR是美光科技推出的一款576Mb容量并行DDR3 DRAM芯片，采用16M x 36的组织结构。其核心卖点在于高达800MHz的时钟频率（等效1600MT/s数据速率）与10ns的快速访问时间，为系统提供了卓越的数据吞吐能力和响应速度。

该芯片工作电压为1.28V~1.42V，采用168-TBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的宽温度范围。其36位位宽设计集成了ECC校验功能，显著增强了数据完整性，使其特别适用于要求高可靠性和持续稳定运行的网络、工业及专业嵌入式系统。

• 型号:MT44K16M36RB-125E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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