NAND512W3A2SE06

NAND512W3A2SE06是美光科技生产的一款512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，确保断电后数据不丢失，其核心卖点在于50ns的快速页写入和访问时间，能够满足对数据缓冲和更新有实时性要求的应用场景。

该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统，并支持-40°C至85°C的宽温工作范围，具备工业级的可靠性。其512Mb的存储容量以并联接口访问，为嵌入式系统提供了可靠的大容量存储解决方案，适用于需要固件存储、数据记录或参数保存的各类电子设备。

• 制造商产品型号：NAND512W3A2SE06
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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