MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR

MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR是美光科技推出的一款128Gb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。其核心架构组织为16G x 8位，基于非易失性闪存技术，确保了数据在断电后的持久保存。

该芯片的关键性能参数包括高达200MHz的时钟频率，这为其并联接口提供了高速数据传输的基础，显著提升了大数据量存取场景下的吞吐能力。其工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，符合广泛的商业及工业应用环境要求。

• 制造商产品型号：MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 200MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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