MT41J512M4JE-15E:A

MT41J512M4JE-15E:A是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该器件采用512M x 4的组织结构，通过并联接口与主控制器通信，在667MHz时钟频率下可实现高达1333 MT/s的数据传输速率，有效提升了系统数据吞吐能力。

其核心优势在于采用了低电压设计，工作电压范围为1.425V~1.575V，有助于降低整体系统功耗。同时，13.5ns的访问时间确保了快速的数据响应。器件采用82-FBGA表面贴装封装，适用于空间受限的嵌入式设计。其工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），能满足多数商业及工业应用环境的需求。

• 型号:MT41J512M4JE-15E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:82-FBGA（12.5x15.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 82FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:82-FBGA
• 供应商器件封装:82-FBGA（12.5x15.5）
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