MT41K256M16HA-125 AIT:E TR 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用256M x 16的存储组织架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为800MHz，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，满足对内存带宽有较高要求的应用场景。
该芯片的关键优势在于其低电压设计，工作电压范围为1.283V~1.45V，符合DDR3L标准，在提供高性能的同时显著降低了动态功耗。其访问时间为13.75ns，并支持宽泛的工业级工作温度范围（-40°C ~ 95°C），确保了在恶劣环境下的稳定运行。器件采用96-TFBGA小型化封装，以卷带形式提供，便于自动化表面贴装生产。
- 型号:MT41K256M16HA-125 AIT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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