MT47H32M16NF-25E:H是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率高达400MHz，在1.8V典型电压下工作，实现了高速数据传输与低功耗特性的平衡。
其关键参数包括400ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据读写响应。器件采用84-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于要求高可靠性与紧凑布局的嵌入式及工业应用场景。
- 型号:MT47H32M16NF-25E:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
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