M29F400BB55M6T TR是美光科技推出的一款4Mbit并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。它提供512K x 8位或256K x 16位两种可配置的组织结构，支持标准的5V电压供电，访问时间和写周期时间均为55ns，确保了系统对存储代码和数据的高速读取与写入性能。
该器件具备非易失性存储特性，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，适用于要求高可靠性的工业与汽车环境。其并行接口设计简化了与微处理器的连接，是嵌入式系统中用于存储固件、引导程序及关键参数的经典解决方案。
- 型号:M29F400BB55M6T TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8，256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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